Kioxia y SanDisk (Western Digital) han comenzado la distribución de muestras de su nueva memoria BiCS 3D TLC NAND de décima generación (BiCS10).
Kioxia y SanDisk superan a Samsung con su NAND de 332 capas
Este chip destaca por integrar unas 332 capas, logrando una densidad de área superior a los 29 Gb/mm². Con esta cifra, estaría superando la densidad de almacenamiento de la memoria V10 de Samsung, la cual, a pesar de contar con una estructura de aproximadamente 400 capas, se queda en los 28 Gb/mm².
A diferencia de las generaciones anteriores, enfocadas en el mercado de consumo general, la arquitectura BiCS10 ha sido desarrollada específicamente para centros de datos de alto rendimiento. Las compañías priorizaron la densidad de bits y la velocidad de transferencia por encima de los costos de fabricación. Gracias a esto, los nuevos chips alcanzan una velocidad de interfaz de hasta 4,800 MT/s, optimizada para aprovechar las futuras unidades SSD con interfaces PCIe 5.0 y PCIe 6.0.
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Más allá del incremento del 59% en la densidad de bits respecto a su antecesor, esta tecnología implementa mejoras en eficiencia y velocidad. La latencia de lectura se ha reducido en un 10% (aproximadamente 4 microsegundos), mientras que el consumo energético en operaciones de lectura disminuyó un 25%, pasando de 100 mJ/GB a unos 75 mJ/GB. Esto es posible gracias a un esquema de lectura rediseñado que evita descargar por completo las líneas de palabras (word lines) hacia el voltaje de tierra tras cada acceso, manteniéndolas en un nivel intermedio para acelerar las lecturas consecutivas.
Para optimizar la producción, Kioxia y SanDisk segmentarán sus fábricas. la avanzada planta Fab 2 en Kitakami producirá en exclusiva los chips BiCS10 de 332 capas, mientras que las instalaciones maduras de Yokkaichi se encargarán de la generación BiCS9 de 218 capas destinada al mercado cliente tradicional. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
